Deep levels in electron-irradiated and As-grown SiC power device material /

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
OCLC:60216468
Hlavní autor: Hemmingsson, Carl
Korporace: Universitetet i Linköping. Department of Physics and Measurement Technology, Universitetet i Linköping
Jazyk:English
Vydáno: Linköping : Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University, 1998.
Médium:

Diplomová práce Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Popis
Fyzický popis:133 p.
ISBN:9172193042
Místo vydání:Sweden.