Deep levels in electron-irradiated and As-grown SiC power device material /

Guardat en:
Dades bibliogràfiques
OCLC:60216468
Autor principal: Hemmingsson, Carl
Autor corporatiu: Universitetet i Linköping. Department of Physics and Measurement Technology, Universitetet i Linköping
Idioma:English
Publicat: Linköping : Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University, 1998.
Format:

Thesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Descripció
Descripció física:133 p.
ISBN:9172193042
Lloc de publicació:Sweden.