Deep levels in electron-irradiated and As-grown SiC power device material /

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
OCLC:60216468
প্রধান লেখক: Hemmingsson, Carl
সংস্থা লেখক: Universitetet i Linköping. Department of Physics and Measurement Technology, Universitetet i Linköping
ভাষা:English
প্রকাশিত: Linköping : Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University, 1998.
বিন্যাস:

গবেষণাপত্র Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

বিবরন
দৈহিক বর্ননা:133 p.
আইসবিএন:9172193042
প্রকাশনার স্থান:Sweden.