Deep levels in electron-irradiated and As-grown SiC power device material /
محفوظ في:
| OCLC: | 60216468 |
|---|---|
| المؤلف الرئيسي: | |
| مؤلفون مشاركون: | , |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Linköping :
Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University,
1998.
|
| التنسيق: | أطروحة Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |
| وصف مادي: | 133 p. |
|---|---|
| ردمك: | 9172193042 |
| مكان النشر: | Sweden. |