Hemmingsson, C. (1998). Deep levels in electron-irradiated and As-grown SiC power device material. Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University.
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Hemmingsson, Carl. Deep Levels in Electron-irradiated and As-grown SiC Power Device Material. Linköping: Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University, 1998.
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 8)Hemmingsson, Carl. Deep Levels in Electron-irradiated and As-grown SiC Power Device Material. Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University, 1998.
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.