Hemmingsson, C. (1998). Deep levels in electron-irradiated and As-grown SiC power device material. Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University.
Cytowanie według stylu Chicago (wyd. 17)Hemmingsson, Carl. Deep Levels in Electron-irradiated and As-grown SiC Power Device Material. Linköping: Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University, 1998.
Cytowanie według stylu MLA (wyd. 8)Hemmingsson, Carl. Deep Levels in Electron-irradiated and As-grown SiC Power Device Material. Department of Physics and Measurement Technology, Linköping University, 1998.
Uwaga: Te cytaty mogą odróżniać się od wytycznej twojego fakultetu..