Growth of strained III-V semiconductors by molecular beam epitaxy /

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Bibliographische Detailangaben
OCLC:46280247
1. Verfasser: Ekenstedt, Michael
Körperschaft: Göteborgs universitet
Sprache:English
Veröffentlicht: Göteborg : Univ., 1993.
Format:

Abschlussarbeit Monograph

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