Growth of strained III-V semiconductors by molecular beam epitaxy /
में बचाया:
| OCLC: | 46280247 |
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| मुख्य लेखक: | |
| निगमित लेखक: | |
| भाषा: | English |
| प्रकाशित: |
Göteborg :
Univ.,
1993.
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| स्वरूप: | थीसिस Monograph Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows. |
| भौतिक वर्णन: | Getr. Zählung : graph. Darst + 10 Sonderdr. : graph. Darst. |
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| आईएसबीएन: | 9162810839 |
| प्रकाशन का स्थान: | Sweden. |