Growth of strained III-V semiconductors by molecular beam epitaxy /

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
OCLC:46280247
מחבר ראשי: Ekenstedt, Michael
מחבר תאגידי: Göteborgs universitet
שפה:English
יצא לאור: Göteborg : Univ., 1993.
פורמט:

Thesis Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

תיאור
תיאור פיזי:Getr. Zählung : graph. Darst + 10 Sonderdr. : graph. Darst.
ISBN:9162810839
Place of Publication:Sweden.