Growth of strained III-V semiconductors by molecular beam epitaxy /

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
OCLC:46280247
Hlavní autor: Ekenstedt, Michael
Korporativní autor: Göteborgs universitet
Jazyk:English
Vydáno: Göteborg : Univ., 1993.
Médium:

Diplomová práce Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

Popis
Fyzický popis:Getr. Zählung : graph. Darst + 10 Sonderdr. : graph. Darst.
ISBN:9162810839
Místo vydání:Sweden.