Growth of strained III-V semiconductors by molecular beam epitaxy /

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
OCLC:46280247
প্রধান লেখক: Ekenstedt, Michael
সংস্থা লেখক: Göteborgs universitet
ভাষা:English
প্রকাশিত: Göteborg : Univ., 1993.
বিন্যাস:

গবেষণাপত্র Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

বিবরন
দৈহিক বর্ননা:Getr. Zählung : graph. Darst + 10 Sonderdr. : graph. Darst.
আইসবিএন:9162810839
প্রকাশনার স্থান:Sweden.