Growth of strained III-V semiconductors by molecular beam epitaxy /

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
OCLC:46280247
المؤلف الرئيسي: Ekenstedt, Michael
مؤلف مشترك: Göteborgs universitet
اللغة:English
منشور في: Göteborg : Univ., 1993.
التنسيق:

أطروحة Monograph

Note that CRL will digitize material from the collection when copyright allows.

الوصف
وصف مادي:Getr. Zählung : graph. Darst + 10 Sonderdr. : graph. Darst.
ردمك:9162810839
مكان النشر:Sweden.

مواد مشابهة